High-Bandwidth Flash, 모델 가중치 저장에 효율적인 스토리지 제공
·2026.07.15 11:04
NAND 플래시를 3D 패키징 기술로 적층하여 LLM 가중치 저장에 적합한 고대역폭 메모리를 구현한다.
LLM의 폭발적인 수요로 인해 HBM(고대역폭 메모리)과 DRAM의 중요성이 커지는 가운데, 기존 NAND 플래시의 한계를 극복하기 위한 High-Bandwidth Flash(HBF) 기술이 주목받고 있습니다.
NAND 플래시는 비휘발성 특성과 높은 밀도를 가졌지만, 읽기/쓰기 속도가 DRAM이나 HBM에 비해 현저히 느리다는 단점이 있습니다. HBF는 HBM의 성공 방식인 3D 패키징 및 수직 적층 기술을 NAND 플래시에 적용하여 이 문제를 해결하고자 합니다.
주요 특징 및 전망은 다음과 같습니다:
- 성능 향상: Sandisk의 로드맵에 따르면, 1세대 HBF는 최대 16개의 NAND 플래시 칩을 적층하여 최대 512GB 용량과 1.6TB/s의 읽기 대역폭을 제공할 예정입니다.
- 세대별 발전: 향후 2세대(2TB/s), 3세대(3.2TB/s)까지 대역폭을 확장할 계획입니다.
- 시장 전망: HBF는 최소 1년 내 상용화가 예상되며, 기존 NVMe 스토리지보다 훨씬 높은 대역폭을 제공하여 LLM 모델 가중치 저장과 같은 고성능 작업에 기여할 것으로 보입니다.
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